Transistors. Page 103 sur 114. Avtronic

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Affichage 21 articles: SI4435DY à SKM100GAR123D (Page 103 sur 114)

Transistor SI4435DY

3.98€ TTC

16 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.015 Ohms. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4448DY-T1-E3

3.19€ TTC

100 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 12V 32/70Ap 7.8W 0.017R (26A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: Si4448DY-T1-E3. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-8. Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 12V. Id(T:25): 32A. Puissance: 7.8 W. Id(T:100): 26A. Id(imp): 70 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4480DY

7.00€ TTC

24 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 80V. Courant de drain maxi: 6A. Puissance: 2.5W. Rds<0.026 Ohm. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4480EY

6.33€ TTC

16 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 80V. Courant de drain maxi: 6.2A. Puissance: 3W. Rds<0.026 Ohm. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4532ADY

2.91€ TTC

77 En stock

Transistor SI4532ADY N&P-MOS DUAL 30V 3.7&3A 1.2W<0.044R&0.062R. D-S-MOSFET. IDM: 20App. td(on):12&8nS. td(off):23&21nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: CMS SO8

Tarifs dégressifs

Transistor SI4532CDY

2.91€ TTC

2461 En stock

Transistor SI4532CDY N&P-MOS DUAL 30V 6&4.3A 2.78W<0.038R&0.052R. D-S-MOSFET. IDM: 24&15App. td(on):7.5&5.5nS. td(off):14&17nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: CMS SO8

Tarifs dégressifs

Transistor SI4539ADY

4.70€ TTC

10 En stock

Transistor SI4539ADY N&P-MOS DUAL 30V 5.9&4.9A 2W<0.032R&0.043R. D-S-MOSFET. IDM: 30&30App. td(on):6&7nS. td(off):30&40nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: CMS SO8

Tarifs dégressifs

Transistor SI4542DY

7.00€ TTC

41 En stock

Transistor SI4542DY N&P-MOS DUAL 30V 6&6A 2W 0.019R&0.021R. D-S-MOSFET. IDM: 20&20App. td(on):6&13nS. td(off):18&47nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: CMS SO8

Tarifs dégressifs

Transistor SI4840BDY

3.70€ TTC

317 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 40V. Courant de drain maxi: 12.4A. Puissance: 2.5W. Rds<0.0074 Ohm. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4925BDY

5.10€ TTC

2256 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 7.1A. Puissance: 2W. Résistance passante (Rds): 0.020 Ohms. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4925DDY

7.06€ TTC

51 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 7.3A. Puissance: 5W. Résistance passante (Rds): 0.024 Ohms. Boîtier: SO8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI4948BEY

4.03€ TTC

264 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P 60V 2.4A. Puissance: 1.4W. Référence d'origine constructeur: SI4948BEY-T1-E3. Boîtier: SO8. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C. Résistance Rds: 0.1 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor SI9407BDY

3.53€ TTC

56 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 3.5A. Boîtier: SO-8. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 3.5A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 0.12 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor SI9435BDY

4.70€ TTC

79 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 5.3A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.055 Ohms. Boîtier: SO-8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI9926BDY

3.98€ TTC

66 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal N 20V 6.2A. Puissance: 1.14W. Résistance Rds: 0.016 Ohms. Boîtier: SO-8.

Tarifs dégressifs

Transistor SI9936BDY

5.10€ TTC

120 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 4.8A. Puissance: 1.1W. Rds: 0.028 Ohm. Boîtier: SO-8

Tarifs dégressifs

Transistor double N-P-MOS SI9943DYT1

57.46€ TTC

5 En stock

Transistor double N-P-MOS. Montage en surface (CMS). 20V 3-2.8A 2W

Tarifs dégressifs

Transistor SI9945AEY

3.42€ TTC

2067 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 2.4W. Rds<0.075 Ohm. Boîtier: SO-8

Tarifs dégressifs

Transistor SIR474DP

6.27€ TTC

89 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 15A/50Ap 29.8W 0.0075R (12A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: SiR474DP. Marquage boîtier: R474. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier: PowerPAK SO8 (6.15x5.15x1.07mm). Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 15A. Puissance: 29.8 W. Id(T:10

Tarifs dégressifs

Transistor SKM100GAL123D

116.90€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V 114A.658W. Vce(on): 2.3V.

Tarifs dégressifs

Transistor SKM100GAR123D

112.50€ TTC

2 En stock

Transistor IGBT N 600V 114A. Puissance: 658W. Vce(on): 2.3V.

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Transistors

Transistor SI4435DY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.015 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor SI4448DY-T1-E3

Transistor SI4480DY

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 80V. Courant de drain maxi: 6A. Puissance: 2.5W. Rds<0.026 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor SI4480EY

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 80V. Courant de drain maxi: 6.2A. Puissance: 3W. Rds<0.026 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor SI4532ADY

Transistor SI4532ADY N&P-MOS DUAL 30V 3.7&3A 1.2W<0.044R&0.062R. D-S-MOSFET. IDM: 20App. td(on):12&8nS. td(off):23&21nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: *CMS SO8*

Transistor SI4532CDY

Transistor SI4532CDY N&P-MOS DUAL 30V 6&4.3A 2.78W<0.038R&0.052R. D-S-MOSFET. IDM: 24&15App. td(on):7.5&5.5nS. td(off):14&17nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: *CMS SO8*

Transistor SI4539ADY

Transistor SI4539ADY N&P-MOS DUAL 30V 5.9&4.9A 2W<0.032R&0.043R. D-S-MOSFET. IDM: 30&30App. td(on):6&7nS. td(off):30&40nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: *CMS SO8*

Transistor SI4542DY

Transistor SI4542DY N&P-MOS DUAL 30V 6&6A 2W 0.019R&0.021R. D-S-MOSFET. IDM: 20&20App. td(on):6&13nS. td(off):18&47nS. Constructeur: VISHAY. Boîtier: *CMS SO8*

Transistor SI4840BDY

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 40V. Courant de drain maxi: 12.4A. Puissance: 2.5W. Rds<0.0074 Ohm. Boîtier: SO8.

Transistor SI4925BDY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 7.1A. Puissance: 2W. Résistance passante (Rds): 0.020 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor SI4925DDY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 7.3A. Puissance: 5W. Résistance passante (Rds): 0.024 Ohms. Boîtier: SO8.

Transistor SI4948BEY

Double transistor CMS MOSFET canal P 60V 2.4A. Puissance: 1.4W. Référence d'origine constructeur: SI4948BEY-T1-E3. Boîtier: SO8. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +175°C. Résistance Rds: 0.1 Ohms.

Transistor SI9407BDY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 60V 3.5A. Boîtier: SO-8. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 3.5A. Puissance: 3W. Résistance Rds: 0.12 Ohms.

Transistor SI9435BDY

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 5.3A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.055 Ohms. Boîtier: SO-8.

Transistor SI9926BDY

Double transistor CMS MOSFET canal N 20V 6.2A. Puissance: 1.14W. Résistance Rds: 0.016 Ohms. Boîtier: SO-8.

Transistor SI9936BDY

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 4.8A. Puissance: 1.1W. Rds: 0.028 Ohm. Boîtier: SO-8

Transistor double N-P-MOS SI9943DYT1

Transistor double N-P-MOS. Montage en surface (CMS). 20V 3-2.8A 2W

Transistor SI9945AEY

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 3.6A. Puissance: 2.4W. Rds<0.075 Ohm. Boîtier: SO-8

Transistor SIR474DP

Transistor SKM100GAL123D

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Transistor SKM100GAR123D

Transistor IGBT N 600V 114A. Puissance: 658W. Vce(on): 2.3V.

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